مشاهده مشخصات بیشتر
-
مصرف برق
50mW
-
نوع فلش
NAND Flash
-
مقاومت در برابر لرزش
بلی
-
فرم فاکتور
M.2 2280
-
دمای ذخیره سازی
40- تا 85 درجه سانتیگراد
-
میانگین عمر - MTBF
1.500.000 ساعت
-
دمای عملیاتی
0 تا 70 درجه سانتیگراد
-
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی
80K IOPS
-
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی
150K IOPS
-
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی
2500 مگابایت بر ثانیه
-
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی
1800 مگابایت بر ثانیه
-
نوع رابط
PCIe Gen3x2
-
ظرفیت
500 گیگابایت
-
ابعاد
22 * 80 * 2.3 میلیمتر
-
وزن
8 گرم
-
سایر قابلیت ها
پشتیبانی از NVMe 1.3